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제목     삼성전자, ‘나노 반도체 우리가 선두’   2004/03/19
2003년 IR52 장영실상 최우수상 수상기업 - 국무총리상 / 삼성전자 ' 낸드 플래시메모리'
" 플래시메모리 사업을 중심으로 한 '제2의 반도체 신화'를 이루는데 견 인차 역할을 하게 돼 개인적으로 영광입니다 ."
 류병일 삼성전자 반도체연구소장(부사장)은 올해로 삼성전자가 반도체 사업을 시작한 지 20년째가 되는 해라 이번 수상이 더욱 뜻깊다고 밝혔 다.
 류 소장은 특히 "삼성전자가 메모리 사업 11년 연속 1위, D램 12년 연 속 1위, S램 9년 연속 1위를 차지한 데 이어 지난해에는 플래시메모리 까지 1위를 차지한터라 이번 개발은 더욱 의미가 크다"고 설명했다.
 삼성전자는 이번 2G 낸드(NAND) 플래시메모리 개발로 나노시대 선두주 자로서의 기반을 구축하게 됐다는 평가다.
 삼성전자는 세계 최대 용량의 2G 낸드 플래시메모리를 최초로 90나노 공정을 적용해 개발했다. 지난 2002년 개발에 성공하고 지난해부터 본 격 양산을 시작했다.
 경쟁사들은 올해 2분기에나 동일한 제품 출시를 예고하고 있어 월등한 기술경쟁력을 보여준 셈이다.
 류 소장은 이 같은 경쟁력이 지난 10여년 간의 적자에도 불구하고 낸드 플래시 시장의 잠재성을 예측해 회사가 집중 투자한 결과라고 소개했다 . 낸드 플래시 시장은 지난해 30억달러에서 2007년 160억달러로 성장하 며 연평균 52%의 성장세를 보일 것으로 전망되고 있다.
 류 소장은 특히 2G 제품 개발을 통해 "신공정 개발로 셀 신뢰도를 획기 적으로 개선하고 고집적화 기반을 이룩했다"며 "D램 공정과 호환성 확 보로 추가 투자없이 원가경쟁력을 극대화한 것도 큰 의미"라고 말했다.
 그는 "낸드 플래시는 D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않 는 불휘발성 제품"이라며 "신뢰성을 확보하는 기술이 가장 어렵고 특히 고집적화에 따른 셀 면적 축소로 인해 급격히 나빠지는 품질문제를 해 결해야 했다"고 설명했다.
 업계에서 전례가 없던 90나노 공정 기술 적용도 문제였다. 반도체 소자 중 가장 작은 크기로 개발해야 했기 때문에 당시 2조원에 달하는 생산 투자가 요구됐다.
 류 소장은 "이번 개발이 나노 반도체 시대를 주도할 수 있는 선도 회사 로 자리 매김하는 계기"라고 밝혔다.     <매일경제>
작 성 일 : 2004/03/19, 조 회 : 1712        
  


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